存储主控芯片是一种集成电路芯片，用于控制和管理存储设备。它负责管理多个存储单元 (如内存、固态硬盘、闪存卡等)之间的数据传输和存取操作。存储主控芯片通常包括处理器、内存控制器、接口控制器等功能模块，以实现高效、可靠的数据传输和存储管理。

存储控制芯片通过控制NANDFlash存储芯片中各个存储单元电能的储存及释放实现数据的写入与擦除，是存储产品的核心器件。存储控制芯片需要能够识别 NANDFlash 存储芯片中存储单元的状态，避开坏区实现数据的有效写入，并最大化利用可用区域提升 NAND Flash 存储芯片的可用容量。

移动存储控制芯片设计需要深厚技术积累。NAND Flash 的商业化应用已超过 20 年，NANDFlash 存储晶圆工艺也已经历数次迭代，移动存储控制芯片设计企业对各品牌存储晶圆的技术迭代路径、工艺特性、性能特点需要进行长期的跟踪、归纳、总结、沉淀，才能设计出具备较强兼容性的移动存储芯片，因此移动存储控制芯片设计存在较高的行业壁垒。

金沙2004线路检测通过自主研发的专用处理器及Flash控制算法，成功解决了flash应用市场中控制芯片难以适应、flash快速迭代等老大难问题，引领了该细分市场的技术标准，并取得了多项专利，彻底改变了该领域一直被海外厂商垄断供应的历史。

USB控制器芯片

CBM2199E

• 采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8192Page/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 电压自动trimming
• Flash电压、电流可配，PAD/电源地可配置
• 最高频率166MHz
• 工作电压1.5-3.8V
• 待机电流<0.1uA，待机功耗<0.5uW（低功耗专利）

• 支持3.3V/1.8V，8bit/16bit Nand Flash；
• 支持512B-8KB page size，7bit-43bit ecc纠错能力
• 创新的不间断纠错机制；
• 支持SD/MMC 1bit/4bit Host读卡器功能
• 支持SPI host读卡器功能

• 采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持16KPAGE/Block
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 电压自动trimming
• PAD/电源地可配置，且LDO驱动能力支持软件配置。
• 工作电压：1.7V~3.6V 工作电压1.5-3.8V
• 待机电流<0.1uA，待机功耗<0.5uW（低功耗专利）
• 支持USB2.0/USB3.0

SD卡控制器芯片

CBM3380

• 支持SD2.0/SD3.0协议
• 采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8KPAGE/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v Flash，支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v电压自动trimming
• PAD/电源地可配置，且LDO驱动能力支持软件配置。
• 最高频率208MHz
• 工作电压：1.1-3.8V
• 待机电流<0.1mA，待机功耗<0.5uW（低功耗专利）

• 支持SD2.0协议
• 采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
• 采用55nm工艺，最高频率166MHz
• 兼容Windows，Linux，MacOS，Andriod等多系统平台
• 支持VCCQ 3.3V/1.8V  VCC3.3V
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持4KPAGE/Block
• 支持L型封装